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突发!美国拟撤销台积电三星等在华豁免权!
发布时间:2025/6/23 点击数:137

6月21日消息,据国外媒体报道称,美国考虑对中国半导体管制升级,拟撤销台积电三星等在华豁免权。

报道中提到,美国打算对台积电等跨国大型半导体制造商旗下位于中国大陆的芯片工厂采取行动,撤销这些工厂取得美国技术时享有的豁免。

受这一消息影响,台积电美国存托凭证(ADR)股价出现了下跌。

台积电、南韩三星电子与SK海力士(SK hynix)目前享有无限制豁免,能在不必每次都要申请许可的情况下,将美国芯片制造设备运至旗下位于中国大陆的工厂。

知情人士透露,美国商务部掌管出口管制的部门主管凯斯勒(Jeffrey Kessler)本周向这三家公司表示,希望取消这些豁免。

在这之前,美国还禁止英伟达、AMD等高级AI芯片对华出口,其中就包含了H20

撤销“无限期豁免”,设备供应将受限

早在2022年10月7日,美国出台了新的对华半导体出口管制政策,限制了位于中国大陆的晶圆制造厂商获取先进逻辑制程芯片、128层NAND闪存芯片、18nm半间距或更小的DRAM内存芯片所需的制造设备的能力,除非获得美国商务部的许可。三星、SK海力士、台积电等外资企业在中国大陆的晶圆厂也受到了该政策的影响。

不过,在数日之后的,三星电子、SK海力士、台积电均获得了美国商务部颁发的1年豁免期许可,使得他们在之后的1年内,美系设备厂无需办理任何额外的许可,即可向他们位于中大陆的晶圆厂供货。

2023年10月,在1年豁免期即将到期之际,美国商务部又同意向三星电子、SK海力士和台积电位于中国大陆的晶圆厂提供“无限期豁免”,使得他们无需再担心受到美国对华半导体设备供应限制政策的影响。这也将使得他们在中国的晶圆厂能够继续正常运营。

目前主流的NAND Flash芯片正在迈向了128层以上的更高的堆叠层数,主流的DRAM芯片也在进入10纳米级。而三星和SK海力士在中国都有着庞大的NAND FlashH和DRAM产能,台积电南京厂也有一定的16/12nm逻辑芯片代工产能,如果无法获得美系先进的半导体设备及零部件供应,那么不仅现有的产线运营可能将受影响,未来也将无法继续进行技术升级和扩大产能,这势必将会影响到他们在华工厂的正常运营,以及未来的产能布局和市场竞争力。

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